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Mosfet 2N7000
$150
45 disponibles
Product Description
Polaridad del transistor: N-Channel
Vds: 60 V
Id: 200 mA
Rds On: 1.2 Ohms
Vgs: 20 V
Temperatura de trabajo:- 55C+150C
Dp: 400 mW
Dimensiones: 5.33mmx5.2mmx4.19mm
Transubstancia ra Mín: 0.1S
Peso de la unidad: 200 mg
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| Mosfet 2N7000 Eliminar | Fotoresistencia 5mm gl5516 LDR Eliminar | Protector de batería 18650 Eliminar | Relé estado solido 2A Eliminar | Transistor C945 Eliminar | Condensador 47uF 100V Eliminar | |
|---|---|---|---|---|---|---|
| Nombre | Mosfet 2N7000 Eliminar | Fotoresistencia 5mm gl5516 LDR Eliminar | Protector de batería 18650 Eliminar | Relé estado solido 2A Eliminar | Transistor C945 Eliminar | Condensador 47uF 100V Eliminar |
| Imagen | |  |  |  |  |  |
| SKU | 56 | 67 | 62 | |||
| Clasificación | ||||||
| Precio | $150 | $100 | $1.100 | $2.500 | $100 | $90 |
| Stock | 45 disponibles | 1000 disponibles | 10 disponibles | 20 disponibles | 80 disponibles | 200 disponibles |
| Disponibilidad | 45 disponibles | 1000 disponibles | 10 disponibles | 20 disponibles | 80 disponibles | 200 disponibles |
| Añadir al carrito | ||||||
| Descripción | ||||||
| Contenido | Polaridad del transistor: N-Channel Vds: 60 V Id: 200 mA Rds On: 1.2 Ohms Vgs: 20 V Temperatura de trabajo:- 55C+150C Dp: 400 mW Dimensiones: 5.33mmx5.2mmx4.19mm Transubstancia ra Mín: 0.1S Peso de la unidad: 200 mg | Características
| Características: Circuito de protección de sobre voltaje y bajo voltaje además de controlar corriente en la batería. Parámetros: Voltaje de sobrecarga: 4,25 +-0. 05 V Voltaje de liberación de sobrecarga: 4,23 +-0. 05 V Voltaje de sobre descarga: 2,54 +-0. 1 V Corriente de carga continua máxima: 2A Corriente de descarga continua máxima: 2A Protección contra sobre corriente: 3A Tamaño: L40 * W4 * T3mm Peso: 10g | Relé de estado solido SSR G3MB - 202P 240V AC/DC / 2A 5V 10mA
Características
| Transistor NPN, para pequeña señal y circuitos rápidos. Datasheet | |
| Peso | N/D | N/D | N/D | N/D | N/D | N/D |
| Dimenciones | N/D | N/D | N/D | N/D | N/D | N/D |
| Infomación adicional |
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