Mosfet 2N7000

$150

45 disponibles

Product Description

Polaridad del transistor: N-Channel

Vds: 60 V

Id: 200 mA

Rds On: 1.2 Ohms

Vgs: 20 V

Temperatura de trabajo:- 55C+150C

Dp: 400 mW

Dimensiones: 5.33mmx5.2mmx4.19mm

Transubstancia ra Mín: 0.1S

Peso de la unidad: 200 mg

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Mosfet 2N7000 EliminarPrensa estopa IP68-PG7 EliminarFotoresistencia 5mm gl5516 LDR EliminarResistencia 10k Ohm 1/2w 5% EliminarBatería litio 18650 EliminarPotenciometro multivuelta 10K ohm Eliminar
NombreMosfet 2N7000 EliminarPrensa estopa IP68-PG7 EliminarFotoresistencia 5mm gl5516 LDR EliminarResistencia 10k Ohm 1/2w 5% EliminarBatería litio 18650 EliminarPotenciometro multivuelta 10K ohm Eliminar
Imagen
SKU56
Clasificación
Precio$150$300$100$30$11.000$200
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Descripción
ContenidoPolaridad del transistor: N-Channel Vds: 60 V Id: 200 mA Rds On: 1.2 Ohms Vgs: 20 V Temperatura de trabajo:- 55C+150C Dp: 400 mW Dimensiones: 5.33mmx5.2mmx4.19mm Transubstancia ra Mín: 0.1S Peso de la unidad: 200 mgPrensa estopa con protección IP68 modelo PG7Características
  • Rango de resistencia a plena luz: 8 a 20 KΩ
  • Rango de resistencia en oscuridad: 1 MΩ
  • Valor Gamma: 0.7
  • Potencia de disipación: 100 mW
  • Voltaje máximo: 150 V
  • Rango de temperatura: -30 a 70°C
Datasheet
Descripción del artículo
  • tipo de batería: Samsung 18650 35e
  • fabricada en China
  • capacidad: 3500 mAh
  • voltaje nominal: 3.7
  • Capacidad de descarga: 2.5C
PesoN/DN/DN/DN/DN/DN/D
DimencionesN/DN/DN/DN/DN/DN/D
Infomación adicional